NAND闪存的类型

由于Flash的成本取决于其芯片面积，如果可以在同一区域存储更多数据，Flash将更具成本效益。NAND闪存有三种主要类型：单级单元（SLC），多级单元（MLC）和三级单元（TLC）。顾名思义，TLC Flash在与MLC相同的区域中存储的数据更多，MLC反过来存储的数据多于SLC。另一种类型的NAND闪存称为3D NAND或V-NAND（垂直NAND）。通过在同一晶片上垂直堆叠多层存储器单元，这种类型的闪存实现了更大的密度。
 

浮栅晶体管
在本系列的第一部分中，我提到闪存将信息存储在由浮栅晶体管组成的存储单元中。为了更好地理解不同类型的NAND闪存，让我们来看看浮栅晶体管的结构，工作原理和限制。
浮栅晶体管或浮栅MOSFET（FGMOS）非常类似于常规MOSFET，除了它在栅极和沟道之间具有额外的电绝缘浮栅。

图1：浮栅晶体管或浮栅MOSFET（FGMOS）类似于常规MOSFET，除了它在栅极和沟道之间有一个额外的电绝缘浮栅。
由于浮栅是电隔离的，所以即使在去除电压之后，到达栅极的任何电子也会被捕获。这提供了存储器的非易失性。与具有固定阈值电压的常规MOSFET不同，FGMOS的阈值电压将取决于存储在浮栅中的电荷量。电荷越多，阈值电压越高。与常规MOSFET类似，当施加到控制栅极的电压高于阈值电压时，FGMOS将开始导通。因此，通过测量其阈值电压并将其与固定电压电平进行比较来识别存储在FGMOS中的信息。这被称为闪存中的读操作。  
可以使用两种方法将电子放置在浮动栅极中：Fowler-Nordheim隧穿或热载流子注入。对于Fowler-Nordheim隧穿，在带负电的源和带正电的控制栅之间施加强电场。这使得来自源的电子隧穿穿过薄氧化层并到达浮栅。隧穿所需的电压取决于隧道氧化层的厚度。利用热载流子注入，高电流通过沟道，为电子提供足够的能量以穿过氧化物层并到达浮动栅极。
通过在控制栅极上施加强负电压并在源极和漏极端子上施加强正电压，使用福勒 - 诺德海姆隧道效应可以从浮栅移除电子。这将导致被捕获的电子通过薄氧化层隧道回隧道。在闪存中，将电子放置在浮动栅极中被认为是编程/写入操作，并且去除电子被认为是擦除操作。
隧道工艺有一个主要缺点：它会逐渐损坏氧化层。这被称为闪存中的磨损。每次对单元进行编程或擦除时，一些电子都会卡在氧化层中，从而磨损氧化层。一旦氧化物层达到不再能够在编程和擦除状态之间进行可靠性区分的点，则该单元被认为是坏的或磨损的。由于读取操作不需要隧穿，因此它们不会将单元磨掉。这就是为什么闪存的寿命表示为它可以支持的编程/擦除（P / E）周期的数量。了解典型和最大编程/擦除性能可解释如何导出编程和擦除性能的典型值和最大值。
 

单级单元（SLC）NAND闪存
 
在SLC闪存中，每个存储单元仅存储一位信息：逻辑0或逻辑1。单元的阈值电压与单个电压电平进行比较，如果电压高于电平，则该位被视为逻辑0。如果低于逻辑1。

图2：将SLC闪存单元中的电压与阈值电压进行比较，以确定它是逻辑0（高于阈值）还是逻辑1（低于阈值）。
由于只有两个级别，因此两个级别之间的电压裕度可能非常高。这使得读取单元格更容易，更快捷。原始误码率（RBER）也很低，因为由于较大的电压余量，在读取操作期间任何泄漏或干扰的影响较小。低RBER还减少了给定数据块所需的ECC位数。
大电压裕量的另一个优点是磨损的影响相对较小，因为微小的电荷泄漏将具有相对较低的影响。每个逻辑电平的更宽分布有助于以更低的电压对单元进行编程或擦除，这进一步增加了单元的耐久性，进而增加了寿命P/E循环的数量。
一个缺点是与在相同芯片区域中存储更多数据的其他类型的Flash相比，每个单元的成本更高。SLC闪存通常用于成本不敏感且需要高可靠性和耐用性的应用中，例如具有大量所需P/E循环的工业和企业应用。
 

多级单元（MLC）NAND闪存
 
在MLC闪存中，每个存储器单元存储两位信息，即00,01,10和11.在这种情况下，阈值电压与三个电平进行比较（总共4个电压带）。

图3：将MLC闪存单元中的电压与三个阈值电压进行比较，以确定其逻辑两位值。
通过更多级别进行比较，读取操作需要更加精确，与SLC Flash相比，读取速度更慢。由于较低的电压余量，原始误码率（RBER）也相对较高，并且给定数据块需要更多的ECC比特。现在磨损的影响更为显着，因为与SLC闪存相比，任何电荷泄漏都会产生更大的相对影响，从而减少寿命P / E循环次数。
由于需要仔细编程以将电荷存储在每个逻辑电平所需的紧密窗口内，因此编程操作也要慢得多。主要优点是每比特成本更低，比SLC闪存低2-4倍。MLC闪存通常用于成本更敏感的应用，例如消费电子或游戏系统，其性能，可靠性和耐用性不是那么关键，并且所需的寿命P / E循环次数相对较低。SLC与MLC NAND闪存存储器提供SLC和MLC闪存的更详细比较。
 

企业级多单元（eMLC）NAND闪存
MLC闪存的低可靠性和耐用性使它们不适合企业应用，而低成本是一个驱动因素。为了带来更低成本的优势，闪存制造商已经创建了一种优化级别的MLC闪存，具有更高的可靠性和耐用性，称为eMLC。eMLC中的数据密度通常会降低，从而提供更好的电压余量以提高可靠性。较慢的擦除和编程循环通常用于减少磨损的影响并提高耐用性。还有许多其他技术可以提高eMLC的可靠性和耐用性，这些技术因制造商而异。
 

三电平单元（TLC）NAND闪存
 
在TLC Flash中，每个存储器单元存储3位信息。现在将阈值电压与七个电平（总共8个电压带）进行比较。

图4：将TLC闪存单元中的电压与七个阈值电压进行比较，以确定其逻辑三位值。
通过更多级别进行比较，与SLC Flash相比，读取操作需要高度精确且速度慢。原始误码率（RBER）也很高，增加了对给定数据块的更多ECC位的需求。磨损的影响也被放大，大大减少了寿命P/E循环次数。编程操作也较慢，因为电压需要精确以将电荷存储在每个逻辑电平所需的更严格的窗口内。
关键优势是每比特的最低成本，与SLC或MLC闪存相比要低得多。TLC闪存用于高成本敏感型应用，对低寿命P/E循环的需求较少，例如消费类应用。
 

SLC，MLC，eMLC和TLC的比较
表1中给出了假设类似光刻工艺的不同类型闪存的主要参数的比较。这些值仅表示比较性能，并且就特定存储器产品而言可能不准确。

表1：每种不同类型Flash的主要参数的比较。
* ECC位数取决于技术节点; 较小的技术节点需要更多的ECC位。
 
 3D NAND Flash
上面讨论的所有不同的闪存都是二维的，意味着存储单元仅布置在晶片的XY平面中。使用2D闪存技术，在同一晶圆中实现更高密度的唯一方法是缩小光刻工艺。其缺点是，对于较小的光刻节点，NAND闪存中的错误更为频繁。另外，可以使用的最小光刻节点存在限制。
为了提高存储密度，制造商开发了3D NAND或V-NAND（垂直NAND）技术，该技术将Z平面中的存储单元堆叠在同一晶圆上。以这种方式构建有助于为相同的芯片区域实现高位密度。在3D NAND闪存中，存储器单元作为垂直串连接而不是2D NAND中的水平串。
第一批3D Flash产品有24层。随着该技术的进步，已经制造出32,48,64甚至96层3D闪存。3D闪存的优势在于同一区域中的存储单元数量明显更多。这也使制造商能够使用更大的光刻工艺来制造更可靠的闪存。
在3D Flash中看到的另一个主要技术转变是使用电荷陷阱Flash而不是浮栅晶体管。除了用氮化硅膜代替浮栅之外，电荷陷阱在结构上类似于FGMOS。注意，由于大规模制造的困难，电荷陷阱在市场上没有被广泛使用。由于难以制造浮栅晶体管的垂直串以及电荷陷阱的其他固有优点，已经采用电荷陷阱技术用于3D闪存。
与FGMOS相比，基于电荷陷阱的存储器有许多优点。可以在较低电压下编程和擦除基于电荷陷阱的存储器，从而提高耐用性。由于捕获层（氮化物）是绝缘层，电荷不会泄漏，从而提高可靠性。由于电荷不会从电荷陷阱的一侧流到另一侧，因此可以在同一陷阱层上存储多于一位的电荷。赛普拉斯（前Spansion）在NOR闪存中有效地利用了这种功能，称为MirrorBit技术，将两位数据存储在一个类似于MLC闪存的单个存储单元中。
 

未来的趋势

所有主要的闪存制造商都积极致力于不同的方法，以降低每比特闪存的成本，同时仍然创建在各种应用中有用的产品。正在积极研究增加3D NAND Flash中垂直层的数量。虽然15nm似乎是目前NAND闪存中最小的成功节点，但Flash的光刻节点的缩小仍在继续。将MLC和TLC技术与3D NAND闪存相结合也正在积极探索，许多制造商已经看到了成功。随着新技术的出现，我们可能很快就会看到存储单元可以存储一个字节的数据和垂直层，达到256层甚至更高。